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蔵書情報

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所蔵数 1 在庫数 1 予約数 0

書誌情報サマリ

書名

抵抗変化メモリの知的材料設計　　大阪大学新世紀レクチャー　　

著者名 笠井 秀明(1952～)／著
著者名ヨミ カサイ ヒデアキ
出版者 大阪大学出版会
出版年月 2012.9

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 請求番号 配架場所 帯出区分 状態 貸出
1 県立図書館001001504594一般書548.2/ｶｻ/自然５(54)館外可在庫  ○

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書誌詳細

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タイトルコード 1001002092522
書誌種別 図書
書名 抵抗変化メモリの知的材料設計　　大阪大学新世紀レクチャー　　
大阪大学新世紀レクチャー
著者名 笠井 秀明(1952～)／著 　 岸 浩史(1978～)／著
著者名ヨミ カサイ ヒデアキ　キシ ヒロフミ
出版者 大阪大学出版会
出版年月 2012.9
ページ数 74p
大きさ 21cm
ISBN 978-4-87259-255-9
分類記号９版 548.232
分類記号１０版 548.232
書名ヨミ テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ
注記 文献:p65～67
内容紹介 内容紹介:抵抗変化メモリの知的材料設計をとりあげ、絶縁体のバンドギャップの変化や異なる物質の境界における電子・原子の状態変化が、どのようにデバイスの動作に結び付くのかについて紹介する。
著者紹介 著者紹介:〈笠井秀明〉1952年生まれ。大阪大学大学院工学研究科教授。工学博士。専門は物性理論。
件名1 半導体記憶装置
言語区分 日本語



内容細目

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